2025. február 27., csütörtök, 06:00
Címkék: áram elektronika elektronikai gyártás elektronikai ipar szilícium-karbid TME
Az ipari és fogyasztói elektronika fejlődésével növekszik azoknak a félvezető komponenseknek az igénye, amelyek képesek jelentős áramokat és feszültségeket kezelni. Ezért a szilícium-karbid technológia egyre szélesebb elismerést nyer – a vállalat Diotec Semiconductor egy másik gyártó, amely elkezdte a SiC alapú komponensek gyártását.
Alább bemutatjuk új ajánlatunkat félvezetőink köréből. Ezek a Diotec Semiconductor termékei, N-csatornás unipoláris tranzisztorok, amelyek szilícium-karbid technológiával, vagyis SiC (szilícium-karbid) készültek. Ez rendkívül magas paramétereket és komponens ellenállást tesz lehetővé. A fő előnyök közé tartozik a magas kivezetési áram, széles hőmérsékleti tolerancia, alacsony kapu töltés és rövid bekapcsolási idő. Ennek eredményeképpen képesek működni igényes alkalmazásokban, mint például tápegységek, nagy teljesítményű DC/DC átalakítók, ipari motorvezérlők és elektromos szerszámok. Továbbá, a bemutatott ajánlatból kiválasztott termékek AEC-Q101 minősítéssel rendelkeznek, így az autóipari elektronikában is használhatók.
Az új MOSFET tranzisztorok a Diotec Semiconductor-tól lehetővé teszik a maximális intenzitású áramok 26A-tól 100A-ig (a modelltől függően) szabályozását, és ellenállnak akár 300A-ig terjedő impulzusoknak, amely megfelel többek között a motorvezérlőkben támasztott követelményeknek. Megjegyzendő még a kivezetés-forrás feszültségek széles skálája, amely a legtartósabb termékeknél eléri az 1.7kV értéket.
A tranzisztorok ellenállása (bekapcsolt állapotban) 16mΩ-tól 81mΩ-ig terjed, míg a maximális elnyelt teljesítmény eléri a 715W-ot. A szükséges magas működési paraméterek eléréséhez szükséges hűtőbordák használatának megkönnyítése érdekében az elemek szabványos TO247 csomagolásban (szigetelt rögzítőlyukkal) készülnek 3 vagy 4 vezetékkel. Az összes bemutatott termék átfúrásos szerelésre (THT) szánt.
A tranzisztorok szabványos THT csomagolásban kaphatók
A szilícium-karbid használata nemcsak a komponensek magas elektromos paramétereit teszi lehetővé. A ebben a technológiában készült tranzisztorok viszonylag alacsony teljesítményveszteséggel rendelkeznek, és jellemző rájuk a klasszikus szilíciumhoz képest növelt tartósság és megbízhatóság. Ezért szívesen választják őket olyan iparágakban használt áramkörökben, mint a HVAC, autóipar, repülés, stb. Emellett választ adnak a folyamatosan növekvő megújuló energia piac által támasztott kihívásokra.
Jellemzők |
|
---|---|
Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
Technológia |
SiC |
Polaritás |
unipoláris |
Kivezetés-forrás feszültség* |
650V, 1.2kV vagy 1.7kV |
Kivezetési áram* |
26…100A |
Impulzus kivezetési áram* |
100…300A |
Elnyelt teljesítmény* |
175…715W |
Csomagolás* |
TO247-3 vagy TO247-4 |
Kapu-forrás feszültség* |
-5...20V |
Bekapcsolt állapot ellenállása* |
16…81mΩ |
Szerelés |
THT |
Kapu töltés* |
45…373nC |
Csomagolás típusa |
cső |
Csatorna típusa |
erősített |
Alkalmazás* |
autóipar |
* a modelltől függően