Szilícium-karbid alapú N-MOSFET tranzisztorok

2025. február 27., csütörtök, 06:00

Címkék: áram elektronika elektronikai gyártás elektronikai ipar szilícium-karbid TME

Az ipari és fogyasztói elektronika fejlődésével növekszik azoknak a félvezető komponenseknek az igénye, amelyek képesek jelentős áramokat és feszültségeket kezelni. Ezért a szilícium-karbid technológia egyre szélesebb elismerést nyer – a vállalat Diotec Semiconductor egy másik gyártó, amely elkezdte a SiC alapú komponensek gyártását.

Alább bemutatjuk új ajánlatunkat félvezetőink köréből. Ezek a Diotec Semiconductor termékei, N-csatornás unipoláris tranzisztorok, amelyek szilícium-karbid technológiával, vagyis SiC (szilícium-karbid) készültek. Ez rendkívül magas paramétereket és komponens ellenállást tesz lehetővé. A fő előnyök közé tartozik a magas kivezetési áram, széles hőmérsékleti tolerancia, alacsony kapu töltés és rövid bekapcsolási idő. Ennek eredményeképpen képesek működni igényes alkalmazásokban, mint például tápegységek, nagy teljesítményű DC/DC átalakítók, ipari motorvezérlők és elektromos szerszámok. Továbbá, a bemutatott ajánlatból kiválasztott termékek AEC-Q101 minősítéssel rendelkeznek, így az autóipari elektronikában is használhatók.

A SiC Tranzisztorok Jellemzői és Célja

Az új MOSFET tranzisztorok a Diotec Semiconductor-tól lehetővé teszik a maximális intenzitású áramok 26A-tól 100A-ig (a modelltől függően) szabályozását, és ellenállnak akár 300A-ig terjedő impulzusoknak, amely megfelel többek között a motorvezérlőkben támasztott követelményeknek. Megjegyzendő még a kivezetés-forrás feszültségek széles skálája, amely a legtartósabb termékeknél eléri az 1.7kV értéket.

A tranzisztorok ellenállása (bekapcsolt állapotban) 16mΩ-tól 81mΩ-ig terjed, míg a maximális elnyelt teljesítmény eléri a 715W-ot. A szükséges magas működési paraméterek eléréséhez szükséges hűtőbordák használatának megkönnyítése érdekében az elemek szabványos TO247 csomagolásban (szigetelt rögzítőlyukkal) készülnek 3 vagy 4 vezetékkel. Az összes bemutatott termék átfúrásos szerelésre (THT) szánt.

A tranzisztorok szabványos THT csomagolásban kaphatók

A szilícium-karbid használata nemcsak a komponensek magas elektromos paramétereit teszi lehetővé. A ebben a technológiában készült tranzisztorok viszonylag alacsony teljesítményveszteséggel rendelkeznek, és jellemző rájuk a klasszikus szilíciumhoz képest növelt tartósság és megbízhatóság. Ezért szívesen választják őket olyan iparágakban használt áramkörökben, mint a HVAC, autóipar, repülés, stb. Emellett választ adnak a folyamatosan növekvő megújuló energia piac által támasztott kihívásokra.

 

Jellemzők

Tranzisztor típusa

N-MOSFET

Technológia

SiC

Polaritás

unipoláris

Kivezetés-forrás feszültség*

650V, 1.2kV vagy 1.7kV

Kivezetési áram*

26…100A

Impulzus kivezetési áram*

100…300A

Elnyelt teljesítmény*

175…715W

Csomagolás*

TO247-3 vagy TO247-4

Kapu-forrás feszültség*

-5...20V

Bekapcsolt állapot ellenállása*

16…81mΩ

Szerelés

THT

Kapu töltés*

45…373nC

Csomagolás típusa

cső

Csatorna típusa

erősített

Alkalmazás*

autóipar

* a modelltől függően

Szöveg: Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.

Keresés
Bejelentkezés / Regisztráció
AUTOMATIZÁLÁS

Az SMC biztonságot ad az élelmiszeripari receptúrához

Média Partnerek